前言

氮化鎵GaN作為一種第三代半導體材料，近幾年時間里在消費類電源市場中得到了廣泛應用。尤其是隨著各大手機、筆電品牌紛紛入局氮化鎵快充，氮化鎵功率器件的性能得到進一步驗證，同時也加速了氮化鎵技術(shù)在快充市場中的普及。

氮化鎵技術(shù)的成熟為快充電源市場更新迭代注入了能量，根據(jù)充電頭網(wǎng)不完全統(tǒng)計，目前市面除了少數(shù)內(nèi)置驅(qū)動電路的GaN功率器件對外部驅(qū)動器要求較低之外，其余多數(shù)GaN功率器件均為單管設(shè)計，應用時需要采用外部驅(qū)動電路。

而氮化鎵直驅(qū)控制器則借助內(nèi)置驅(qū)動電路的設(shè)計，讓GaN功率器件在應用時可以省去驅(qū)動電路，簡化外圍電路設(shè)計，并提高電源產(chǎn)品的功率密度，因此在氮化鎵技術(shù)快速普及中發(fā)揮著重要作用。

放眼當下市場，已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵直驅(qū)控制器多為國外廠商產(chǎn)品，客戶的選擇余地十分有限，同時也蘊藏著巨大的商機。近日，珠海智融科技就推出了一款氮化鎵直驅(qū)控制芯片SW1106，致力于實現(xiàn)氮化鎵直驅(qū)控制器的國產(chǎn)化替代，下面充電頭網(wǎng)為大家介紹一下這款新品的亮點。

智融SW1106登場

智融 SW1106 是一顆支持增強型氮化鎵開關(guān)管直驅(qū)的高頻反激準諧振控制器，芯片內(nèi)部集成700V高壓啟動電路和X電容放電功能。同時內(nèi)部集成氮化鎵驅(qū)動器，驅(qū)動電壓為6V，可直接驅(qū)動增強型氮化鎵開關(guān)管。

智融 SW1106 采用SSOP-10封裝，運行在帶谷底鎖定的谷底開啟工作模式，并集成頻率抖動功能以優(yōu)化EMI性能，支持突發(fā)模式。供電采用雙VDD供電設(shè)計，在輸出電壓USB PD寬輸出場合降低控制器的功率損耗，支持氮化鎵快充，充電器以及開關(guān)電源應用。

智融 SW1106 內(nèi)部集成輸入電壓保護，供電過壓保護，輸出過壓保護，逐周期電流限制，過載保護，輸出過流保護，電流取樣電阻開路和短路保護，芯片內(nèi)置過熱保護，支持外接熱敏電阻進行器件過熱保護，保護功能全面。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

得益于氮化鎵器件比傳統(tǒng)的硅器件的開關(guān)速度更快、通態(tài)電阻（RDS-on）低、驅(qū)動損耗更小，在小型化電源等需要更高頻率的應用場合中，相較于傳統(tǒng)硅器件具有無可比擬的高轉(zhuǎn)換效率和低發(fā)熱特性。這也成為了氮化鎵替代傳統(tǒng)硅器件的重要原因，并讓氮化鎵成為未來功率器件的主流發(fā)展方向。

逐漸龐大的氮化鎵快充市場以及不斷豐富的氮化鎵功率器件，對控制器和驅(qū)動器形成了強需求。為此，越來越多的國產(chǎn)電源芯片廠商針對氮化鎵快充的應用推出了內(nèi)置驅(qū)動的主控，將驅(qū)動器集成在主控芯片內(nèi)部，可以直接驅(qū)動GaN功率器件，一方面精簡了外圍電路設(shè)計，同時也提升產(chǎn)品穩(wěn)定性并節(jié)約成本。

智融 SW1106 氮化鎵直驅(qū)控制器的推出，一方面實現(xiàn)了氮化鎵控制器的國產(chǎn)化替代，為氮化鎵快充提供了新的解決方案。另外一方面也豐富了智融在快充電源的產(chǎn)品線，實現(xiàn)初次級的芯片供應，簡化采購流程。