前言

隨著人們環保意識的增強，氮化鎵以高效節能的優勢，得到了迅猛的發展。氮化鎵應用在快充中，提高了快充的轉換效率，顯著縮小體積。氮化鎵還可廣泛應用到家用產品中，如電動自行車充電器，LED照明等，在廣闊的應用中，發揮節能降耗的功效。

氮化鎵驅動器是氮化鎵應用必不可少的重要芯片，由于氮化鎵具有極低的柵極電荷和較低的開啟電壓，需要外置驅動器，提供精準的驅動電壓，并在高頻開關時提供足夠的驅動電流。從而安全可靠的驅動氮化鎵開關管，將氮化鎵高頻高效的優勢充分發揮。

uP1966E半橋驅動器登場

半橋電路是升壓或降壓應用的重要基礎，廣泛應用在智能手機和筆記本充電器、電視、太陽能電池板、數據中心和電動汽車等場景中。面對不斷增長的市場，uPI 推出了針對半橋拓撲應用的氮化鎵驅動器 uP1966E，下面充電頭網為大家介紹這款新品的亮點。

uPI uP1966E 設計用于驅動半橋拓撲中的高側和低側 GaN FET。 芯片集成了內部自舉電源和 UVLO。uP1966E 具有分離式柵極輸出，可以在高側和低側驅動通道上以數 MHz 的速度工作，并且能夠獨立調整開啟和關閉轉換時間。

uPI uP1966E 采用 1.6mm WLCSP1.6x1.6-12B 封裝，可降低封裝電感，從而提高高頻運行性能。內置鉗位電路用于高端驅動器，以防止不需要的瞬變損壞 GaN 器件柵極。 uP1966E 有兩個 PWM 輸入，可獨立控制高端和低端驅動信號。

uPI uP1966E demo 如上圖所示，芯片內置的驅動器耐壓達85V，工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。可支持USB PD 3.1 48V應用，將氮化鎵性能優勢引入到高壓供電的設備，提高效率，降低發熱。

充電頭網總結

uPI 此次推出的半橋拓撲氮化鎵驅動器 uP1966E，耐壓高達85V，契合48V供電應用，不僅可用于 USB PD 3.1 48V 設備供電同步降壓，還可用于數據中心、電動汽車等大功率應用，讓氮化鎵高頻高效的特性得以在更多場景落地。