前言
每年的6月14日，被業(yè)界正式定為 “世界碳化硅日”。這一日期的選擇結(jié)合了碳化硅（SiC）的兩種組成元素——碳（C，原子序號 6）和硅（Si，原子序號 14）在元素周期表中的位置。將6月14日設(shè)立為紀念日，體現(xiàn)了行業(yè)對這種戰(zhàn)略半導(dǎo)體材料的高度認可，也彰顯了業(yè)界對碳化硅這一材料的崇高敬意，寓意著碳化硅在現(xiàn)代科技發(fā)展中不可或缺的重要地位。
在這個特殊的碳化硅日，充電頭網(wǎng)邀請眾多碳化硅企業(yè)，一同向這里程碑意義的半導(dǎo)體材料表達敬意。以下為這些企業(yè)對碳化硅的展望。
本文排序不分先后，按企業(yè)英文首字母順序排列。
大咖說
ALKAIDSEMI瑤芯微
市場總監(jiān) 史獻冰
在碳化硅領(lǐng)域，瑤芯憑借核心技術(shù)，一路乘風破浪。我們堅持自主研發(fā)，技術(shù)快速迭代，目前碳化硅 MOSFET 已迭代至第五代，核心性能指標RSP比肩全球一線品牌，技術(shù)優(yōu)勢顯著。
我們不僅有過硬的技術(shù)，還率先布局國產(chǎn)供應(yīng)鏈，從襯底、外延、晶圓制造及封測，都選用國內(nèi)頂尖供應(yīng)鏈資源，尤其是與我們的晶圓代工廠芯聯(lián)集成深度綁定，一體化合作，不僅獲得了充分的研發(fā)資源支持、降低了成本，還保障了供貨穩(wěn)定性，打破海外壟斷格局，讓客戶用上高品質(zhì)、高性價比且供應(yīng)無憂的產(chǎn)品。
成本控制上，技術(shù)迭代與供應(yīng)鏈優(yōu)化雙管齊下，在產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)深挖降本潛力。同時，我們嚴守質(zhì)量關(guān)，產(chǎn)品經(jīng)超2倍車規(guī)級標準認證及嚴苛考核，出貨前老化測試，確保顆顆高品質(zhì)。依托成熟的供應(yīng)鏈體系和彈性生產(chǎn)計劃，確保穩(wěn)定供應(yīng)，全方位滿足客戶需求，助力行業(yè)蓬勃發(fā)展 。
ARK方舟微
研發(fā)經(jīng)理 趙興杰
值此世界碳化硅日之際，我們深刻感受到碳化硅（SiC）技術(shù)正在充電領(lǐng)域引領(lǐng)一場深刻的技術(shù)革新。作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，SiC憑借其寬禁帶特性帶來的高擊穿場強、低導(dǎo)通損耗、優(yōu)異高頻特性以及出色的熱穩(wěn)定性，正推動快充技術(shù)實現(xiàn)質(zhì)的飛躍。
在消費電子領(lǐng)域，SiC快充方案可將效率提升10%-15%，同時體積縮小30%以上，讓百瓦級快充設(shè)備化身為指尖藝術(shù)品。在新能源汽車領(lǐng)域，碳化硅逆變器與車載充電機（OBC）的協(xié)同應(yīng)用，則能顯著提升充電功率、降低整車能耗，從而有效提升車輛續(xù)航表現(xiàn)。
成都方舟微電子（ARK）作為國內(nèi)唯一專注于耗盡型MOSFET設(shè)計的公司，其自主研發(fā)的耗盡型MOSFET獨具特色。該方案能有效降低系統(tǒng)靜態(tài)功耗、簡化電路設(shè)計并節(jié)省PCB空間，成為SiC快充方案的理想搭檔。兩者協(xié)同，共同賦能充電技術(shù)向更高效、更綠色的未來邁進。
Global Powertech 泰科天潤
泰科天潤應(yīng)用測試中心總監(jiān) 高遠
在快充技術(shù)迭代的浪潮中，碳化硅器件以其高頻、高效、耐高溫的特性，助力充電設(shè)備突破功率密度與能量轉(zhuǎn)換效率的極限。
值此世界碳化硅日，泰科天潤作為深耕碳化硅（SiC）晶圓、芯片、功率器件制造及應(yīng)用解決方案提供商，深感榮幸與責任。我們始終聚焦器件設(shè)計優(yōu)化與芯片工藝創(chuàng)新，攻克器件封裝等關(guān)鍵技術(shù)難題，推動國產(chǎn)碳化硅芯片在可靠性、性價比上實現(xiàn)突破。助力安克、倍思、綠聯(lián)、閃極等合作伙伴提高開關(guān)頻率、提高功率密度、提升充電效率、大幅減少系統(tǒng)體積。每一次技術(shù)迭代，都是對"更高效、更節(jié)能、更可靠"目標的踐行。
我們深知，碳化硅產(chǎn)業(yè)化是跨越材料科學(xué)、器件物理與制造工藝的系統(tǒng)工程。未來，我們將持續(xù)加大研發(fā)投入，推動6英寸/8英寸碳化硅晶圓量產(chǎn)進程，降低應(yīng)用成本。同時布局充電樁、電動汽車、光伏與儲能、5G通信、工業(yè)電源等應(yīng)用場景，讓碳化硅技術(shù)惠及更多領(lǐng)域。
Navitas 納微
納微半導(dǎo)體全球高級副總裁兼亞太區(qū)總經(jīng)理查 瑩杰
6月14日是一年一度的世界碳化硅日，在這個行業(yè)歡慶的日子里，納微半導(dǎo)體深感榮幸與自豪。自投身碳化硅領(lǐng)域以來，我們一路見證并參與著它的蓬勃發(fā)展。
納微GeneSiC有著超過20年的碳化硅創(chuàng)新積累，憑借著領(lǐng)先的“溝槽輔助平面柵”碳化硅技術(shù)，實現(xiàn)了多維度行業(yè)突破。在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，納微成功打造了全球首款12kW OCP 紅寶石級AI數(shù)據(jù)中心電源參考設(shè)計，率先為AI 算力的爆發(fā)式增長構(gòu)建了堅實的能源基座；在如火如荼的新能源汽車賽道，車規(guī)級第三代快速碳化硅廣泛導(dǎo)入了國內(nèi)頭部車企供應(yīng)鏈，為多個爆款車型開發(fā)了行業(yè)領(lǐng)先的OBC方案。
今天，我們向每一位為碳化硅發(fā)展拼搏的同行致敬。未來，納微將繼續(xù)秉持創(chuàng)新精神，與產(chǎn)業(yè)鏈各方緊密合作，拓展碳化硅應(yīng)用邊界，助力全球科技與能源產(chǎn)業(yè)邁向新高度。
INGACOM英嘉通
功率應(yīng)用總監(jiān) 劉亮
第三代半導(dǎo)體材料碳化硅功率芯片由于材料特性的支持具有遠超于硅基 IGBT 的性能和系統(tǒng)成本/效率優(yōu)勢，是全球一致公認未來幾十年高壓大功率應(yīng)用場景的首選半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方向。碳化硅功率芯片是新能源汽車 三電（電池/電機/電控）的電控核心，是純電/插混/氫能源車的動力核心。 美軍已在航母/核潛艇/艦船/F22/F35 戰(zhàn)機規(guī)模應(yīng)用碳化硅芯 片，歐美國家也在鐵路機車、電網(wǎng)、民用船舶等領(lǐng)域批量應(yīng)用。英嘉通半導(dǎo)體主要聚焦第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和銷售，主要產(chǎn)品包括GaN功率器件、SiC功率器件和GaN射頻器件等。產(chǎn)品應(yīng)用于消費、工業(yè)和汽車等領(lǐng)域。英嘉通的GaN器件就是倚天劍，突破消費和通信領(lǐng)域，英嘉通SiC器件就是屠龍刀，氣貫長虹。刀劍合璧，馬到成功。
SHIKUES 時科
總經(jīng)理 顏曉東
6月14日是世界碳化硅日，我們?yōu)檫@項改變能源轉(zhuǎn)換效率的技術(shù)致敬。碳化硅，作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，正重塑充電、能源、汽車等高功率應(yīng)用領(lǐng)域的未來。
時科持續(xù)聚焦碳化硅器件的研發(fā)與應(yīng)用，旗下SKSCxxNxxx系列SIC MOS（750V-1700V）與Q-SSCxxxx系列SIC肖特基二極管（650V-1200V）已在多類快充、電驅(qū)、光伏逆變等高頻高壓場景中廣泛部署。我們的產(chǎn)品具備可忽略的反向恢復(fù)時間、極低的開關(guān)損耗，支持更高頻率、更小體積的系統(tǒng)設(shè)計；同時，溫度影響小、散熱要求低，有效降低系統(tǒng)能耗與成本。
我們堅信，碳化硅不僅代表著性能的飛躍，更是綠色能源未來的關(guān)鍵。時科將持續(xù)以高性能、安全可靠的碳化硅方案，助力產(chǎn)業(yè)跨越功率瓶頸，邁向低碳高效的新紀元
Sirius天狼芯
董事長&創(chuàng)始人 曾健忠
碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體的核心，正引領(lǐng)能源效率與電力電子技術(shù)的革命性突破。
天狼芯的碳化硅MOS及二極管器件憑借卓越的耐高溫、耐高壓性能，以及極低的能量損耗，在市場上贏得了廣泛認可。其高效穩(wěn)定的特性，已在諸多測試和量產(chǎn)項目中得以驗證，切實為客戶和國產(chǎn)替代創(chuàng)造了價值。?
展望工業(yè)領(lǐng)域，碳化硅前景無限。在新能源汽車的快充系統(tǒng)中，它能大幅提升充電效率；于智能電網(wǎng)，可實現(xiàn)更高效的電力傳輸與分配。我們堅信，隨著技術(shù)不斷進步與成本降低，碳化硅將在工業(yè)各角落全面開花，引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展邁向新高度，天狼芯的SiC器件正以“中國芯”力量——用碳化硅之光，點亮科技可持續(xù)之路！
TOPE芯塔
高級市場經(jīng)理 周駿峰
目前SiC行業(yè)不斷涌現(xiàn)新機遇、新市場。展望未來，新能源汽車高壓平臺、光儲一體化系統(tǒng)、超高速充電網(wǎng)絡(luò)將成為核心增長引擎，工業(yè)機器人、數(shù)據(jù)中心電源等場景逐步放量。智能化制造與系統(tǒng)級創(chuàng)新將推動能效再提升2-3%，支撐碳化硅在智慧能源、高端裝備等戰(zhàn)略領(lǐng)域的全域滲透。
2024年，芯塔電子推出多款極具特色的 SiC MOSFET 系列產(chǎn)品，連獲10項國家發(fā)明專利授權(quán)。第三代 SiC MOSFET實現(xiàn)量產(chǎn)并獲重大技術(shù)突破：流片良率平均98%以上，Chip size 較上一代銳減32%，Rsp躍居國內(nèi)前列。面對下游客戶多樣化應(yīng)用場景，我們開發(fā)了豐富的封裝形式，以更小尺寸、更低干擾、卓越熱管理與高可靠性，滿足多元市場需求。
未來五年，碳化硅將從“替代性技術(shù)”轉(zhuǎn)向“定義性技術(shù)”，重塑電力電子系統(tǒng)設(shè)計范式，開啟“高效、緊湊、智能”的能源應(yīng)用新時代。芯塔電子始終站在產(chǎn)業(yè)與技術(shù)革新最前沿，全力助推中國電力電子及綠色能源產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，引領(lǐng)行業(yè)邁向新高度。
X-IPM 芯干線
應(yīng)用技術(shù)總監(jiān)、合伙人 劉歡
以"芯"之力，驅(qū)動綠色能源未來——南京芯干線獻禮世界碳化硅日
6月14日世界碳化硅日，是全球科技界對第三代半導(dǎo)體材料創(chuàng)新價值的共同致敬。作為深耕碳化硅（SiC）領(lǐng)域的創(chuàng)新企業(yè)，南京芯干線深感使命在肩——我們正以"芯"之力，加速能源革命的進程。
碳化硅以其高頻、高效、耐高溫高壓的物理特性，成為充電技術(shù)躍遷的核心引擎。南京芯干線聚焦SiC功率器件研發(fā)，突破技術(shù)壁壘，推出多款高性能SIC MOSFET及模塊產(chǎn)品，助力新能源汽車、數(shù)據(jù)中心電源等場景實現(xiàn)能效提升30%以上。在新能源儲能領(lǐng)域，芯干線為國內(nèi)某頭部商用儲能企業(yè)定制的1200V全碳化硅模塊，（XS004HB120N6、XS003HB120N6）,于Q1正式投產(chǎn)。
面對碳中和的全球命題，我們始終堅信：每一瓦特電能的節(jié)約，都是對綠色未來的承諾。芯干線通過持續(xù)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設(shè)計，將SiC材料的性能潛力轉(zhuǎn)化為實際應(yīng)用價值，推動設(shè)備向小型化、智能化邁進。未來，我們將繼續(xù)攜手產(chǎn)業(yè)鏈伙伴，以更可靠的國產(chǎn)化方案打破技術(shù)壟斷，讓碳化硅技術(shù)成為驅(qū)動可持續(xù)發(fā)展的澎湃"芯"動能。
世界碳化硅日不僅是技術(shù)創(chuàng)新的里程碑，更是產(chǎn)業(yè)共進的集結(jié)號。南京芯干線愿與全球同仁并肩，以匠心致“芯”生，共繪綠色能源新圖景。
充電頭網(wǎng)總結(jié)
在這個充滿無限可能的時代，碳化硅材料其潛力之巨，遠超我們的想象，正等待著我們?nèi)コ浞滞诰蚺c探索。我們相信，未來碳化硅行業(yè)將共同攻克一系列技術(shù)難題，加速碳化硅技術(shù)的成熟與普及，讓其在更多的應(yīng)用場景中落地生根，為整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入源源不斷的強大動力。
在這個極具紀念意義的碳化硅日，我們滿懷敬意地向所有為碳化硅事業(yè)默默付出、不懈奮斗的企業(yè)致以崇高的敬意。同時，我們也期待與碳化硅企業(yè)攜手合作，共同推動碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，加速碳化硅技術(shù)的普及和應(yīng)用。
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