前言

近期，AOS萬國半導(dǎo)體推出新款25V MOSFET，實際型號為AONK40202。該芯片采用 DFN3.3×3.3源極朝下封裝技術(shù)，專為滿足AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)在高功率密度DC-DC 應(yīng)用方面的高電流以及高效率需求而生。

萬國半導(dǎo)體AONK40202

AONK40202的創(chuàng)新源極朝下封裝技術(shù)，采用DFN3.3×3.3封裝，擴大了源極與PCB的接觸面積，優(yōu)化了散熱和開關(guān)性能。同時，柵極的中置布局可簡化PCB走線設(shè)計，減少了柵極驅(qū)動器連接，進一步提升了能效和系統(tǒng)可靠性。

AONK40202具備出色的電流處理能力，憑借帶夾片的源極朝下封裝技術(shù)，顯著提升了系統(tǒng)級性能，優(yōu)化了散熱表現(xiàn)，實現(xiàn)了更高的功率密度和能效水平，可提供高達319A的持續(xù)電流，且最高結(jié)溫可達175℃，滿足數(shù)據(jù)中心高可靠性需求。

另外，與傳統(tǒng)漏極朝下封裝相比，AONK40202的封裝技術(shù)在降低功率損耗和提升散熱性能方面表現(xiàn)出色。該芯片具有更低的導(dǎo)阻和更高的散熱性能，降低電源設(shè)計難度與設(shè)計成本，并可助力工程師優(yōu)化PCB空間利用率，是應(yīng)對AI服務(wù)器日益增長的功率密度需求的理想解決方案。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

萬國半導(dǎo)體AONK40202其源極朝下封裝技術(shù)可擴大源極與PCB接觸面積，優(yōu)化產(chǎn)品散熱和性能，而柵極中置布局還可簡化PCB走線設(shè)計，降低設(shè)計難度與成本，優(yōu)化系統(tǒng)空間利用率，為AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)提供DC-DC應(yīng)用的高功率密度高電流和高效率解決方案。

AOS萬國半導(dǎo)體是專注于設(shè)計、開發(fā)生產(chǎn)與全球銷售一體的功率半導(dǎo)體公司，產(chǎn)品包括Power MOSFET、SiC、IGBT、IPM、TVS、高壓驅(qū)動器、功率IC和數(shù)字電源產(chǎn)品等。AOS積累了豐富的知識產(chǎn)權(quán)和技術(shù)經(jīng)驗，涵蓋了功率半導(dǎo)體行業(yè)的最新進展，使我們能夠推出創(chuàng)新產(chǎn)品，滿足先進電子設(shè)備日益復(fù)雜的電源需求。AOS的差異化優(yōu)勢在于通過其先進的分立器件和IC半導(dǎo)體工藝制程、產(chǎn)品設(shè)計及先進封裝技術(shù)相結(jié)合，開發(fā)出高性能的電源管理解決方案。AOS 的產(chǎn)品組合主要面向高需求應(yīng)用領(lǐng)域，包括便攜式計算機、顯卡、數(shù)據(jù)中心、AI 服務(wù)器、智能手機、面向消費類和工業(yè)類電機控制、電視、照明設(shè)備、汽車電子以及各類設(shè)備的電源供應(yīng)。

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