近日，英諾賽科發布最新高邊同口BMS方案INNDBMS120HA1，基于自研雙向氮化鎵（VGaN）器件與配套驅動IC，面向儲能與動力等應用場景提供更簡化的系統實現路徑。

充電頭網獲悉，INNDBMS120HA1方案由自研高壓側驅動芯片INS1012SE搭配100V VGaN功率器件 INV100FQ030C 組成，通過高邊同口架構實現保護策略與系統集成的同步優化。

該方案將開關器件布置在電池正極通路，保護動作時可直接切斷正極通路；同時電池包與系統端保持共地，可避免保護觸發后通信中斷問題，減少對額外隔離電路的依賴，從而降低系統復雜度與靜態功耗。核心器件INV100FQ030C具備無體二極管、雙向對稱阻斷特性，可用單顆器件替代傳統背靠背雙Si MOS配置；其導通內阻3.2mΩ，采用4mm×6mm小封裝，有助于節省板級空間、降低發熱并優化系統成本。

該方案已完成120A持續放電與1200A以上短路保護等測試，溫升控制表現穩定，適用于對可靠性要求較高的BMS應用。

放眼行業，INNDBMS120HA1是英諾賽科圍繞多元應用需求搭建的系統化方案中的一環。目前英諾賽科已從拓撲結構、功率等級與驅動技術等維度，規劃并推出多款參考方案與器件組合，為工程師提供更清晰的選型思路與落地路徑。