充電頭網從行業獲悉，AOS萬國半導體旗下尼西半導體科技（上海）有限公司已成功建成全球首條CSP 35微米功率半導體超薄晶圓產線。此舉將晶圓加工從“被動減薄”升級為“主動功能化”，為等高功率密度應用提供核心支撐。

芯片做薄帶來顯著的電熱性能躍升，載流子跑通時間縮短40%，發熱量大減；熱阻較100微米標準品下降60%。極薄厚度支持雙面散熱，使模塊熱阻再降30%，功率循環壽命翻5倍。同時，單片晶圓芯片產出增加20%，終端快充模塊體積減半，電動汽車電控減重達3公斤。

萬國半導體表示，加工35微米晶圓堪比“豆腐上繡花”。團隊研發人員攻堅克難，將研磨精度控制在35±1.5微米，碎片率壓至0.1%以內，并通過化學腐蝕消除92%的物理應力損傷。摒棄傳統刀片，采用定制激光切割，切縫僅11微米，良率高達98.5%。

產線高穩定運行依托核心裝備的協同創新。從精度達0.1微米的研磨機、誤差小于120微米的鍵合機，到激光解鍵合與單日產出12萬顆的測試系統，全鏈路專機配置填補了行業超精密加工的技術空白。