AOS近日正式推出基于aMOS E2平臺的 600V 超結(jié) MOSFET AOTL037V60DE2。

這款產(chǎn)品面向高效率、高功率密度電源設(shè)計需求打造，除具備出色的FOM表現(xiàn)外，還重點強化了體二極管魯棒性、短路耐受能力以及雪崩可靠性，可適用于Boost PFC、圖騰柱PFC、LLC、PSFB等主流拓撲，適用于3.3-5.5kW AI服務(wù)器電源等高功率應(yīng)用場景。

AOTL037V60DE2基于aMOS E2 Super Junction Technology打造，在柵極驅(qū)動響應(yīng)方面進行了優(yōu)化，有助于縮短開關(guān)過渡時間、降低開關(guān)損耗，更適合LLC、移相全橋等高效率軟開關(guān)架構(gòu)，對提升整機功率密度具有積極作用。

該器件具備12μs短路耐受時間，相比部分同規(guī)格產(chǎn)品可提供更長的保護窗口；在150°C結(jié)溫條件下，其體二極管可承受80A、1500A/μs的反向恢復(fù)測試；同時還具備11A@30mH UIS能力，能夠為系統(tǒng)在電壓尖峰及異常沖擊工況下提供更充足的安全余量。

此外，該器件還能承受2.7kA、200μs的浪涌電流沖擊，對于圖騰柱PFC等需要應(yīng)對瞬態(tài)大電流應(yīng)力的應(yīng)用同樣具有實際價值。

AOTL037V60DE2并非僅圍繞低導(dǎo)通損耗進行優(yōu)化，而是在效率提升的基礎(chǔ)上，進一步補強了短路承受、高溫換流以及雪崩耐量等系統(tǒng)級可靠性指標(biāo)，可助力電源和逆變器設(shè)計人員輕松實現(xiàn)更高效率。