ST意法半導體近期推出 MasterGaN6，正式開啟 MasterGaN 半橋系列的第二代產品布局。

該器件采用 PSiP 封裝集成方案，在單封裝內集成兩顆增強型 GaN 功率晶體管與高壓高頻驅動器，主打更高集成度、更高開關頻率以及更緊湊的電源設計，面向消費級與工業級電源應用。

目前 MasterGaN6 已進入量產狀態。

MasterGaN6 集成耐壓 650 V氮化鎵晶體管半橋，半橋高低邊導通電阻典型值均為 140mΩ，最大輸出電流為 10A，采用 9×9×1mm TFQFPN 封裝。器件內部集成高低邊驅動穩壓電路和自舉二極管，驅動傳播延遲為 45ns，最小脈寬為 35ns ，有利于提升高頻開關場景下的效率與功率密度表現。

MasterGaN6 還集成 UVLO、交叉導通防護和熱關斷保護，并提供待機、關斷及故障指示引腳，輸入控制兼容 3.3V 至 15V 電平，便于與控制器、MCU 或 DSP 直接配合。

這顆器件可覆蓋 LLC、有源鉗位反激、諧振反激以及同步反相 Buck 等多種拓撲，適用于充電器、適配器、照明電源及工業電源等應用，進一步體現出 GaN 集成方案在簡化設計和縮小體積上的價值。