在快充充電器等應(yīng)用中，非對(duì)稱半橋（AHB）拓?fù)鋺{借高效率、低EMI等優(yōu)勢，正受到越來越多工程師的青睞。

AHB 本質(zhì)上是在傳統(tǒng)反激思路上進(jìn)一步優(yōu)化而來的電源架構(gòu)，通常通過兩顆主開關(guān)器件與串聯(lián)電容配合工作，不僅能夠更好地利用變壓器漏感能量，還更容易實(shí)現(xiàn)主開關(guān)零電壓開通（ZVS）等效果，從而降低開關(guān)損耗與發(fā)熱，幫助電源在效率、功率密度和小型化之間取得更好的平衡。

東科半導(dǎo)體此前已圍繞相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)展開詳細(xì)闡述，重點(diǎn)說明了其在效率表現(xiàn)、系統(tǒng)集成和方案落地等方面的技術(shù)優(yōu)勢。

這也是 AHB 近年來在高功率密度適配器、快充電源等場景中持續(xù)受到關(guān)注的重要原因。之前充電頭網(wǎng)已對(duì)市面上的 AHB 控制器作了相關(guān)盤點(diǎn)匯總。

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特別是隨著強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn) GB 20943-2025《交流-直流和交流-交流電源能效限定值及能效等級(jí)》于 2025 年 1 月 24 日發(fā)布，并將于 2027 年 2 月 1 日實(shí)施。

電源產(chǎn)品在轉(zhuǎn)換效率、待機(jī)功耗和功率因素等方面的要求進(jìn)一步明確，且適用范圍也擴(kuò)展到額定輸出功率不大于 500W 的外部電源以及不大于 27.5kW 的微型計(jì)算機(jī)和服務(wù)器用嵌入式電源。

因此，能夠幫助整機(jī)提升效率、降低熱損耗、支持高功率密度設(shè)計(jì)的 AHB 方案，有望繼續(xù)獲得更多廠商關(guān)注；尤其是與 GaN、高集成控制器結(jié)合后，其工程價(jià)值還會(huì)進(jìn)一步提升。

而在這其中，內(nèi)置氮化鎵已成為當(dāng)前 AHB 控制器芯片中一個(gè)值得關(guān)注的方向。

充電頭網(wǎng)了解到，目前東科有著多款內(nèi)置氮化鎵方案的 AHB 控制器，將 GaN 功率器件與控制器進(jìn)一步整合，有助于簡化外圍設(shè)計(jì)、縮短關(guān)鍵回路、優(yōu)化 PCB 空間利用率，同時(shí)也更契合消費(fèi)類快充、電源適配器等市場對(duì)于輕薄化和高功率密度的長期需求。

尤其是在中小功率 AC-DC 應(yīng)用中，集成度提升所帶來的工程價(jià)值已經(jīng)越來越直觀，這也是內(nèi)置氮化鎵產(chǎn)品數(shù)量持續(xù)增加的重要原因之一。

接下來充電頭網(wǎng)也簡單介紹一下這些芯片：

DK8718BD

合封115mΩ氮化鎵功率管，支持180W高功率密度方案，BD版本在初代AD基礎(chǔ)上優(yōu)化了EMI與瞬態(tài)響應(yīng)。

DK8715BD

合封200mΩ氮化鎵功率管，覆蓋150W輸出功率，已應(yīng)用于聯(lián)想thinkplus 150W桌面充電站。

DK8712BD

合封270mΩ氮化鎵功率管，推薦用于120W電源設(shè)計(jì)，兼容初代AD版本，是升級(jí)迭代的主推型號(hào)。

DK8710BD

合封365mΩ氮化鎵功率管，適合100W級(jí)快充適配器應(yīng)用。

DK8718AD

初代全合封芯片，內(nèi)部集成兩顆115mΩ氮化鎵功率管，支持180W且需搭配PFC使用。

DK8715AD

初代全合封芯片，內(nèi)部集成兩顆200mΩ氮化鎵功率管，支持150W且需搭配PFC使用。

同時(shí)沖充電頭網(wǎng)了解到，該芯片已被努比亞氘鋒140W 3C1A氮化鎵充電器采用。

以及被閃極點(diǎn)陣屏140W氮化鎵充電器所采用。

DK3718AD

與3715AD同屬全集成系列，合封兩顆700V氮化鎵功率管，支持180W，已進(jìn)入安克200W桌面充電器供應(yīng)鏈。

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DK3715AD

業(yè)內(nèi)首個(gè)全集成all-in-one氮化鎵AHB芯片，合封兩顆700V氮化鎵功率管與600V半橋驅(qū)動(dòng)，支持150W，保護(hù)功能齊全。

充電頭網(wǎng)了解到，這款芯片已被安克150W四口氮化鎵快充充電器所采用。

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DK8518

合封101mΩ氮化鎵，支持180W輸出，是該系列功率等級(jí)最高的型號(hào)，適用于高功率快充場景。

DK8515

合封160mΩ氮化鎵，支持150W輸出，全集成合封方案顯著降低高頻寄生參數(shù)與振鈴。

DK8512

合封249mΩ氮化鎵，與8510同系列，支持120W輸出，工作電壓范圍-0.3~27V，外圍元件極簡。

DK8510

合封330mΩ氮化鎵，內(nèi)置800kHz高頻開關(guān)與X電容放電功能，適配90~264V寬電壓輸入，支持100W輸出。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

東科通過導(dǎo)通電阻分級(jí)清晰覆蓋了100W至180W的主流功率段，并形成了“初代AD→優(yōu)化BD”的迭代關(guān)系，以及“DK87xxBD主推系列、DK851x合封系列、DK371xAD全集成系列”的三條產(chǎn)品線。

其中DK851x系列更進(jìn)一步集成了X電容放電功能與800kHz高頻開關(guān)能力，而DK371xAD系列則作為業(yè)內(nèi)首款全集成AHB芯片，成功進(jìn)入安克、聯(lián)想、華碩等品牌快充與桌面充供應(yīng)鏈，證明了內(nèi)置氮化鎵AHB方案在大規(guī)模量產(chǎn)中的可靠性與競爭力。

目前，東科已成功構(gòu)建起覆蓋廣泛、梯隊(duì)完善的產(chǎn)品矩陣，擁有超過30個(gè)產(chǎn)品系列、100余個(gè)型號(hào)產(chǎn)品，產(chǎn)品類型包括AHB、QR、ACF、LLC等多技術(shù)產(chǎn)品路線，功率覆蓋從12W到300W。

合封GaN將GaN功率器件、控制及驅(qū)動(dòng)電路、智能保護(hù)功能高效集成于單一芯片，徹底改變了傳統(tǒng)多器件分立的復(fù)雜設(shè)計(jì)，大幅減少外圍元件60%以上，顯著提升了電源的功率密度和轉(zhuǎn)換效率，降低了系統(tǒng)成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜度，為終端客戶帶來了更小體積、更高效率、更簡設(shè)計(jì)的卓越體驗(yàn)。

內(nèi)置氮化鎵成主流？AHB 控制器芯片選型趨勢分析