前言

隨著 AI 算力爆發與新能源高壓化趨勢，數據中心、車載電源逐步從傳統低壓架構邁向800V 及以上高壓直流架構，以降低線路損耗、縮減銅材與布線體積。傳統硅基方案存在開關損耗高、耐壓不足、架構復雜、成本偏高等痛點，高壓輔助電源亟需更適配的第三代半導體技術方案。

智融科技推出基于SW1192+SW1609的 65W SiC 高壓輔助電源 DEMO，以300–1000V 超寬直流輸入、24V/2.7A 輸出、滿載效率最高 95.27%的優異性能，為數據中心 800V HVDC、新能源車載高壓平臺、工業高壓供電、儲能變流器等場景提供高可靠、高效率、小體積的單端反激解決方案，助力高壓供電系統向低損耗、高功率密度、低成本方向升級。

核心拓撲與芯片方案

DEMO 采用1700V SiC MOSFET + 單端 QR 反激 + ZVS 同步整流創新拓撲，核心搭載智融自研兩顆關鍵芯片：

初級側 SW1192 準諧振反激控制器：支持 SiC 直驅，驅動電壓 17.5V，充分釋放 SiC 器件低導通電阻、低開關損耗優勢；具備谷底鎖定、抖頻降 EMI功能，VDD 寬壓 12–90V，驅動能力動態可調，系統穩定性與抗擾性大幅提升。

次級側 SW1609 ZVS 同步整流芯片：實現高輸入電壓下初級開關管ZVS 軟開啟，顯著壓低開關損耗，降低功率管發熱與溫升，相比非 ZVS 同步整流方案，高壓段效率提升更明顯。

該方案無需外置 SiC 驅動電路，簡化拓撲、減少器件數量，有效降低 BOM 成本與系統復雜度，可靠性顯著提升。

對比傳統雙管反激、硅基控制器 + 外置 SiC 驅動方案，智融此方案實現三大維度突破：

效率躍升：效率從傳統 85%–90% 提升至92%–95.27%，高壓輸入下仍保持高能效。

集成度更高：直驅 SiC 省去外置驅動，器件更少、PCB 更緊湊，功率密度領先。

成本更優：簡化拓撲降低 BOM 成本，同時減少散熱設計投入，量產性價比突出。

可廣泛應用于數據中心 HVDC 輔助供電、車載 OBC/DC-DC 輔助電源、工業高壓模塊、儲能變流器等場景，完美適配 800V 高壓平臺升級需求，為高壓供電系統提供高效、可靠、高性價比的第三代半導體解決方案。

總結

智融科技65W SiC高壓輔助電源DEMO的核心優勢尤為突出，相較于傳統硅基方案和雙管反激方案，其以SW1192+SW1609自研芯片組合為核心，實現SiC直驅設計，無需外置驅動電路，既簡化了拓撲結構、減少器件數量、降低BOM成本，又通過單端QR反激與ZVS同步整流的協同作用，將滿載效率提升至95.27%，即便在900V高壓輸入下仍保持92.05%的高效表現，同時兼顧小體積、高可靠性與強抗擾性，完美解決了高壓輔助電源長期存在的效率低、成本高、架構復雜、可靠性不足等核心痛點。

該DEMO的推出對800V高壓平臺發展及相關產業升級具有重要意義，不僅為數據中心800V HVDC、新能源車載800V OBC等高壓平臺提供了高適配、高性價比的輔助電源解決方案，破解了高壓架構升級過程中輔助電源的技術瓶頸，更推動了第三代半導體SiC技術在高壓供電領域的規模化應用，助力AI算力、新能源汽車、工業自動化、儲能等相關產業降低能耗、提升產品競爭力，加速整個高壓供電產業向低損耗、高功率密度、低成本的高質量發展方向邁進。