前言

隨著2026世界AI服務器電源大會于5月23日圓滿落幕，本次大會聚焦AI數據中心電源架構升級、800V HVDC、高功率密度電源模塊、第三代半導體器件等熱門方向。

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現階段隨著AI算力的爆發，服務器對電源的功率密度、效率和可靠性提出了前所未有的苛刻要求。

面對市場上的技術瓶頸，AOS萬國的高級產品營銷總監游家崧先生登臺，帶來了一場《從AC到DC— AOS服務器電源方案全解析》主題演講，深度剖析了AOS在服務器電源全鏈路上的技術布局與最新產品路線圖。

本次演講的核心聚焦于服務器電源領域，詳細闡述AOS如何提供從交AC輸入到DC輸出的完整、高效且可靠的半導體解決方案。

AOS萬國展示了服務器電源的完整架構，從電網的AC輸入，經過AC/DC轉換為HVDC，再通過48V母線降壓，最終到達CPU/GPU端的POL小于1V的極低壓輸出 。

游家崧強調，AOS萬國在這條復雜的功率轉換鏈路上，提供了全方位解決方案：包括用于高壓側的αSiC MOSFET、高壓超結αMOS、αGaN HEMT，以及用于中低壓同步整流和負載點的αSGT MOSFET、多相控制器M-Phase Controller、智能功率級SPS和電子保險絲eFuse等。

同時，面對AI風潮引發的供貨緊張，AOS表示將盡全力保障產品供應。同時為確保您的項目平穩推進，建議有需求的客戶盡早開展相關產品驗證與導入流程。

針對服務器電源的高壓高頻需求，AOS重磅推出了其碳化硅SiC解決方案 。游家崧介紹，AOS的SiC技術平臺主要涵蓋750V和1200V兩大電壓段。

目前主推基于E-mode的技術路線，但為了滿足市場上更多樣化和復雜的驅動需求，AOS也同步開發了Cascode JFET方案，賦予客戶極大的設計靈活性。

在1200V高壓平臺上，AOS展示了產品迭代計劃。

目前在傳統的TO-247-4插件封裝上，AOS最低內阻已下探至11mΩ 。為了迎合高功率密度服務器電源對散熱和體積的要求，AOS還推出了頂部散熱的TO-leadless（T2PAK）封裝方案。

游家崧透露，未來AOS還將持續推出性能更為強悍的QDPAK封裝產品，以滿足高端市場需求。

在750V電壓段，AOS同樣進行了深度布局。產品線主要圍繞表面貼裝的TOLL封裝以及支持頂部散熱的GTPAK和QDPAK封裝展開。

目前TOLL封裝的內阻可低至15mΩ，而在更為緊湊的QDPAK封裝中，能實現8mΩ極低內阻。此外，針對市場的交期痛點，AOS也積極推動Cascode SiC產品的上市，為客戶提供穩定的供應鏈保障。

通過實際的數據，可見AOS第三代SiC（Gen 3）的性能表現。

在高溫惡劣環境下，AOS Gen 3的導阻隨溫度升高的增幅極小，同時，在開關損耗方面表現同樣優秀。有助于服務器電源在追求高頻化的同時，降低損耗帶來的散熱壓力。

針對高壓直流架構中的熱插拔Hot swap和OR-ing應用場景，AOS展示了專用的SiC JFET解決方案 。

該方案采用了最新的溝槽型JFET技術，在1200V耐壓下實現了極低的4mΩ導通內阻，并采用了高效的QTPAK封裝。其經過優化的SOA，完美契合了高壓大電流系統的安全保護需求。

除了第三代半導體，AOS在傳統的高壓硅基器件上也持續發力，推出了全新的600V高壓超結MOSFET平臺 。

游家崧介紹，該平臺細分為面向消費類電源的E系列和專為大功率服務器電源打造的E2系列。

E2系列提供了極其豐富的封裝選擇，包括TOLL、GTPAK、DFN8x8以及傳統的TO-247和TO-220等，全面覆蓋不同客戶的設計需求 。

相較于上一代產品（αMOS 5），全新的E2平臺在技術指數Rds*A上實現了高達40%的跨越式降低，這意味著在相同的極小封裝內，AOS能夠塞入導通內阻更低的晶圓 。

同時，反映綜合性能的FOM指標也優化了18%，大幅削減了器件在運行時的導通與驅動損耗，從而顯著拉升整體系統效率 。

在實際應用中，αMOS E2廣泛活躍于圖騰柱的無橋PFC慢速臂、有源橋以及LLC主側等核心電路中。

游家崧著重強調了該平臺極其強悍的體二極管耐受度——在150°C高溫和80A大電流下，能夠承受1500A/us的極端應力；其短路耐受時間更是長達12μs，為系統在異常工況下爭取了寶貴的保護時間 。

為了證明產品的極致可靠性，演講中展示了實打實的硬件測試數據。在條件極為嚴苛的6kV浪涌測試上，AOS產品的表現極其穩健，所有測試批次均順利通過，展現出了高壓強電流魯棒性。

在另一項考驗極限耐受力的涌入電流測試中，得益于E2平臺更優秀的芯片熱阻設計，AOTL037V60DE2 全部批次完美通過測試，可見αMOS E2是應對高頻高效應用的優解。

游家崧分享了αMOS E2平臺的量產實績：該方案目前已被大規模應用于低軌衛星電源、數千瓦級的超大功率運算礦機，以及3.3kW至5.5kW級別的核心服務器電源中 。

在客戶3.2kW的實際效率測試中，AOS方案在各個負載點均以優異的表現順利通過。

AOS的αGaN產品線布局分明，主要劃分為耐壓大于650V的高壓HEMT平臺，以及耐壓小于150V的低壓/中壓HEMT平臺，旨在全方位覆蓋從PFC前端到DC-DC后端的高頻轉換需求。

在650V/700V高壓GaN陣營，AOS提供了極其豐富的封裝規格。除了主打大功率、低熱阻的TOLL封裝和DFN8x8封裝。

AOS為了迎合服務器電源對極致散熱的追求，還大力推廣帶有頂部散熱的封裝方案。豐富的產品線能夠精準匹配多種應用環境。

而在100V和150V低壓領域，標準的DFN5x6和DFN3x3封裝是市場的主力，但為了將GaN的高頻特性發揮到極致，AOS特別推出了無引腳倒裝的FCQFN封裝，有助于消除了寄生電感。

針對業界普遍對第三代半導體材料壽命的擔憂，AOS用嚴謹的數據給出了答案。

通過極端的加速壽命測試模型推算，在520V的高偏置電壓下，AOS GaN器件的預期故障時間長達36年，保障了在服務器電源環境中的穩定性。

轉向服務器電源的后級處理，AOS介紹了其基于SGT技術的中低壓MOSFET平臺，涵蓋15V至150V廣闊的電壓區間 。

該平臺在封裝形態上做出創新，除了常規的DFN5x6和TOLL，還大量應用了源極朝下的特殊封裝，以及加厚夾片設計，增強了器件在經受PCB形變應力時的可靠性 。

AOS針對48V輸出，主推80V和100V的高性能MOSFET。而對于傳統的12V系統，AOS同樣能提供低至0.46mΩ的低導阻阻器件，力求高效轉換。

游家崧還詳細解析了主力封裝DFN5x6在未來幾年的迭代路徑。在服務器同步整流應用中，針對小于8kW的電源，2.1mΩ級別的器件是首選；而面對8kW乃至更高功率密度的AI電源需求，市場正迅速向< 1.5mΩ及帶頂部散熱的先進產品傾斜。

AOS展示了采用AONS68805搭建的4500W大功率LLC測試板的實際運行數據 。在各個工況下，測試數據清晰地表明，AOS在轉換效率和熱管理上均超過友商。

在演講的尾聲，游家崧分享了專為熱插拔Hot Swap應用打造的產品規劃。在現有的100V 1.5mΩ LFPAK 8x8方案基礎上，AOS正積極研發體積更巨大的12x12mm極度低阻封裝，要將大功率熱插拔的性能推向新的巔峰。

以上便是本次演講的全部內容，感謝您的閱讀。

總結

在2026世界AI服務器電源大會上，AOS萬國半導體全方位展示了從AC輸入到DC輸出的服務器電源全鏈路解決方案。面對AI算力爆發帶來的高功率密度與高效率挑戰，AOS推出了覆蓋750V/1200V的碳化硅產品與大于650V高壓和小于150V低壓氮化鎵產品。

同時，硅基MOS器件實現跨越式升級，在損耗降低與魯棒性上表現優異，已實現大規模量產。后級中低壓SGT平臺則持續迭代，積極布局8kW以上AI電源及大功率熱插拔應用。

整體而言，AOS通過第三代半導體與硅基產品的并行創新，為新一代AI服務器電源提供了高效、可靠且供應鏈穩定的功率器件產品支撐。