前言

隨著AI推理、智能體工作流及加速計算的爆發(fā)，數據中心正加速向“AI工廠”演進。機架功率持續(xù)攀升、GPU功耗激增，供電已從幕后支撐變?yōu)橄到y(tǒng)性能與密度的核心瓶頸——尤其從800 VDC到GPU低電壓的轉換，在有限空間內要實現高效率、高轉換比并控制熱密度，難度陡增。

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相比傳統(tǒng)硅器件，GaN憑借更低的導通電阻、柵極電荷、寄生電容及零反向恢復特性，能以更高開關頻率運行，顯著降低損耗、縮小無源器件尺寸并改善熱性能，從而直接提升系統(tǒng)功率密度、降低總擁有成本，成為破解高密度AI供電難題的核心技術。

作為NVIDIA MGX™生態(tài)系統(tǒng)成員，英諾賽科近日正式公布了其全氮化鎵電源轉換技術路徑，旨在覆蓋從800 VDC到GPU核心電壓的整個供電路徑，為下一代AI基礎設施提供高密度、高效率的GaN解決方案。

前不久舉辦的2026 世界 AI 服務器電源大會上，英諾賽科嘉賓還帶來了重磅演講！

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全GaN方案覆蓋整個AI電源鏈路

英諾賽科將全GaN供電路徑劃分為多個關鍵轉換級，分別推出對應解決方案：

800V轉48V前端轉換

針對高電壓、高功率、緊湊空間的前端轉換需求，英諾賽科展示了12kW、800V至48V的全GaN LLC設計。

原邊采用650V GaN 8x8雙面散熱（DSC）器件，副邊采用100V GaN 5x6 DSC器件，實現1MHz開關頻率，峰值效率約99%，滿載效率達98.2%。新發(fā)布的150V GaN器件可將副邊同步整流管數量減少50%。

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中間總線轉換（800V轉12/6V及48V轉12V）

針對部分AI電源架構選擇12V或6V作為中間總線，以簡化后續(xù)負載點轉換或減少轉換級數場景，英諾賽科提供800V至12V（40V GaN，5×6mm或3.3×3.3mm DSC封裝）以及800V至6V（15V GaN）方案。

同時，針對48V至12V中間總線轉換，其100V GaN方案優(yōu)化了多相降壓設計，有助于在AI工廠規(guī)模下降低冷卻需求和運營成本。

PoL轉換——12/6V 到 GPU 核心電壓

隨著GPU電流激增，垂直供電（VPD）成為縮短電流路徑、降低寄生損耗的重要方向。目前英諾賽科已驗證15V GaN HEMT在3~5MHz頻率下運行可行性，并正在開發(fā)集成驅動的DrGaN解決方案，以提升對GPU快速瞬態(tài)響應的帶寬，減少輸出電容需求。

全GaN參考設計降低客戶開發(fā)門檻

為幫助系統(tǒng)設計人員快速驗證GaN性能，英諾賽科提供12kW、800V至48V PDB演示板，48V 至 12V 四相 GaN 評估板以及即將推出的6V DrGaN評估板（面向垂直供電架構）。

* 開發(fā)中

這些工具覆蓋從高壓前端到負載點的完整電源樹，使客戶能夠基于實測數據評估GaN在高頻、高密度場景下的系統(tǒng)收益。

總結

NVIDIA MGX生態(tài)系統(tǒng)旨在加速模塊化、可擴展、面向未來的AI基礎設施部署。隨著AI工廠向更高機架功率、更高計算密度演進，功率半導體必須同步升級。英諾賽科全GaN技術方案覆蓋從800 VDC到GPU核心的每一級轉換，實現更高開關頻率、更低損耗、更小無源器件和更高功率密度。作為NVIDIA MGX生態(tài)成員，英諾賽科將持續(xù)推進高效率、高密度、可擴展的AI供電基礎設施，為下一代加速計算系統(tǒng)提供堅實支撐。