SW1118S

SW1118S 屬于智融 SW111XX 系列，是一款針對離線式反激變換器設計的準諧振電流模式 PWM 變換器。

芯片采用控制器與高壓 GaN 功率管集成架構，可減少外圍功率器件數量，簡化初級側電路設計，有利于提升適配器功率密度。

SW1118S 采用 ESOP7 封裝，內置 700V 高壓 GaN 功率管，導通電阻為 0.27Ω，對應最大輸出功率范圍為 45W-65W。

該芯片支持 8V-90V 超寬 VDD 供電范圍，可滿足 PD 適配器寬電壓輸出應用需求。

芯片啟動電流最大約 3μA，兼顧啟動延時與低待機功耗；在輕載和空載狀態下，芯片可進入 BURST 突發模式，降低系統開關頻率，從而提升輕載效率并減少待機損耗。

同時，該芯片支持 QR、DCM、BURST 多模式運行，并具備智能谷底鎖定技術。

芯片通過 ZCD 引腳檢測輔助繞組信號，在漏源電壓諧振谷底附近開啟內部 GaN 功率管，以降低開關損耗；同時，芯片最多可檢測 6 個谷底信號，使系統在不同負載下保持更合理的開關狀態。

針對適配器設計中較為關鍵的 EMI 表現，SW1118S 內置開關頻率抖動功能，頻率抖動幅值為 ±4%，抖動周期為 32 個開關周期，可通過頻譜能量分散改善 EMI 性能。

芯片還集成驅動能力動態調整功能，進一步優化不同工作狀態下的開關表現。

保護功能方面，SW1118S 保護機制方面也很完善，集成Brown-out 保護、VDD 欠壓保護、VDD 過壓保護、輸出過壓保護、輸出欠壓保護、逐周期電流限制等保護機制。

充電頭網總結

智融科技 SW1118S 面向 45W-65W 適配器、充電器等 AC-DC 電源應用，將準諧振反激控制器與 700V 高壓 GaN 功率管集成在單芯片中，減少了初級側外圍器件數量，也為電源小型化設計提供了更高集成度的選擇。

SW1118S 兼顧效率、EMI、待機功耗和可靠性。芯片支持 QR/DCM/BURST 多模式工作，并集成智能谷底鎖定、頻率抖動、驅動能力動態調整以及多重保護功能，可幫助廠商在有限空間內實現更高功率密度和更穩定的電源設計。

對于 45W、65W 這類主流 USB-C PD 適配器而言，合封 GaN 方案正在成為提升集成度和簡化設計的重要方向。SW1118S 的推出，也進一步豐富了智融科技在快充電源初級側方案中的產品布局。

同時充電頭網了解到，在合封 GaN 快充電源領域，智融科技已經形成多款產品布局。除本次介紹的 SW1118S 外，充電頭網此前還報道過智融科技 SW1188/SW1188HS 合封氮化鎵芯片，該系列同樣面向 45W-65W 快充方案，可進一步滿足廠商對高集成度和高性價比方案的需求。