前言

援引瑞薩電子官網(wǎng)2024年1 月 11 日消息,瑞薩電子株式會社(簡稱“瑞薩電子”,TSE:6723)與美國氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm宣布,兩家公司已簽署最終協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,瑞薩電子將以每股 5.10 美元、總額 3.39 億美元(約 24.34 億元人民幣)全現(xiàn)金交易方式收購 Transphorm。

充電頭網(wǎng)觀察到,瑞薩電子和 Transphorm也分別發(fā)布了此次雙方合作的官方新聞稿。

Transphorm 是一家全球半導(dǎo)體公司,開發(fā)用于高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的氮化鎵(GaN)晶體管和模塊。Transphorm以業(yè)界領(lǐng)先的IP產(chǎn)品組合以及300多年的GaN工程專業(yè)知識為基礎(chǔ),為不斷增長的客戶群提供最高性能、最高可靠性的GaN設(shè)備和一流的應(yīng)用驅(qū)動設(shè)計支持。

Transphorm董事會已一致批準最終協(xié)議,并建議Transphorm股東通過該最終交易并批準合并。在簽署最終協(xié)議的同時,持有Transphorm約38.6%已發(fā)行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已與瑞薩簽訂慣例投票協(xié)議以支持本次交易。

該交易預(yù)計將于2024年下半年完成,但需獲得Transphorm股東的批準、監(jiān)管部門的許可和其他慣例成交條件的滿足。

雙方看好未來前景

對于此次雙方強強聯(lián)合,瑞薩首席執(zhí)行官柴田英利和Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人、總裁兼首席執(zhí)行官Primit Parikh博士,以及Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官Umesh Mishra博士均發(fā)表了各自觀點,雙方看好未來第三代半導(dǎo)體市場前景。

瑞薩電子觀點

瑞薩電子(TSE: 6723),科技讓生活更輕松,致力于打造更安全、更智能、可持續(xù)發(fā)展的未來。作為全球微控制器供應(yīng)商,瑞薩電子融合了在嵌入式處理、模擬、電源及連接方面的專業(yè)知識,提供完整的半導(dǎo)體解決方案。成功產(chǎn)品組合加速汽車、工業(yè)、基礎(chǔ)設(shè)施及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用上市,賦能數(shù)十億聯(lián)網(wǎng)智能設(shè)備改善人們的工作和生活方式。

瑞薩首席執(zhí)行官柴田英利表示:“Transphorm是一家由來自加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校、并扎根于GaN功率、經(jīng)驗豐富的團隊所領(lǐng)導(dǎo)的公司。Transphorm GaN技術(shù)的加入增強了我們在IGBT和SiC領(lǐng)域的發(fā)展勢頭。它將推動和擴大我們的關(guān)鍵增長支柱之一的功率產(chǎn)品陣容,使我們的客戶能夠選擇最佳的電源解決方案。”

Transphorm觀點

Transphorm, Inc.是GaN革新的全球引領(lǐng)者,為高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計和制造高性能和高可靠性的 GaN半導(dǎo)體。Transphorm擁有超過1,000項自有或許可專利的功率GaN IP產(chǎn)品組合,生產(chǎn)業(yè)界首款符合JEDEC和AEC-Q101標準的高壓GaN半導(dǎo)體器件。Transphorm的垂直整合設(shè)備業(yè)務(wù)模式允許在每個開發(fā)階段進行創(chuàng)新:設(shè)計、制造、設(shè)備和應(yīng)用支持。Transphorm的創(chuàng)新使電力電子技術(shù)突破了硅的限制,實現(xiàn)了超過99%的效率、提高了50%的功率密度并降低了20%的系統(tǒng)成本。Transphorm 總部位于加利福尼亞州戈利塔,并在日本會津和戈利塔設(shè)有制造工廠。

Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人、總裁兼首席執(zhí)行官Primit Parikh博士以及Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官Umesh Mishra博士表示:“結(jié)合瑞薩全球布局、廣泛的解決方案和客戶關(guān)系,我們很高興能為WBG材料的行業(yè)廣泛采用鋪平道路,為其顯著增長奠定基礎(chǔ)。這項交易還將使我們能夠為客戶提供進一步擴展服務(wù),并為我們的股東帶來可觀的即時現(xiàn)金價值。此外,它將為我們杰出的團隊提供一個強大的平臺,以進一步發(fā)展Transphorm卓越的GaN技術(shù)和產(chǎn)品。”

并購意義

隨著全球?qū)Ω咝щ娏ο到y(tǒng)的需求不斷增加,寬禁帶(WBG)材料成為了行業(yè)關(guān)注的焦點。GaN氮化鎵作為新一代半導(dǎo)體材料,具有更廣泛的電壓和開關(guān)頻率范圍,以及更高的效率和更小的體積。憑借低能耗和小型化的優(yōu)勢,氮化鎵器件的適用范圍極廣。因此,氮化鎵正逐漸成為制造功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料。在這一發(fā)展趨勢下,瑞薩電子通過收購Transphorm,進一步擴展了其在WBG產(chǎn)品陣容中的實力,加強在Gan氮化鎵領(lǐng)域的發(fā)展.

Transphorm在GaN技術(shù)方面具有深厚的專業(yè)知識,能夠提供更高效、更小、更輕的解決方案,降低總體成本。這一技術(shù)有望在未來幾年內(nèi)成為行業(yè)主流,據(jù)市場分析機構(gòu)預(yù)測,氮化鎵器件為功率應(yīng)用創(chuàng)造的收入將以 56% 的復(fù)合年增長率(CAGR)增長,到 2027 年將達到 20 億美元左右(信息來源:Yole,《復(fù)合半導(dǎo)體市場監(jiān)測》 I 2022 年第四季度)。

瑞薩電子長期以來一直是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,而這次收購將使其在電動汽車、計算(數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施)、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長的市場中占據(jù)更有利的位置。

Transphorm公司實力不俗

Transphorm公司致力于設(shè)計、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體功率器件。持有數(shù)量極為龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合,在全球已獲準和等待審批的專利超過1000多項 ,是業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認證的GaN FET的IDM企業(yè)之一。得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式,Transphorm公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個階段進行創(chuàng)新——包括設(shè)計、制造、器件和應(yīng)用支持。

Transphorm氮化鎵(GaN)晶體管的設(shè)計可支持現(xiàn)行的以及即將出現(xiàn)的標準,其氮化鎵功率管(GaN FET)可輕松實現(xiàn)當(dāng)今最高的功率效率和最高的功率密度水平,SuperGaN器件適用于任何控制和驅(qū)動電路,為設(shè)計人員提供了便捷的可設(shè)計性和可驅(qū)動性——因此,隨著快充產(chǎn)品越來越好,Transphorm氮化鎵技術(shù)也將為所有使用快充的應(yīng)用助力。

Tranphorm氮化鎵電源轉(zhuǎn)換設(shè)計技術(shù)的功率范圍涵蓋幾十瓦至幾千瓦,同時也在不斷創(chuàng)新,以上是其推出過的 1200 V 技術(shù)產(chǎn)品TP120H070WS,1200V技術(shù)充分利用了Transphorm當(dāng)前器件組合中使用的性能優(yōu)越、常關(guān)型的氮化鎵平臺。 

TP120H070WS已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場的三相電力系統(tǒng)。目前,Transphorm期已驗證了氮化鎵器件在100kHz開關(guān)頻率的5kW 900伏降壓轉(zhuǎn)換器中更高的性能。1200伏氮化鎵器件實現(xiàn)了98.7%的效率,超過了具有類似額定值的量產(chǎn)SiC MOSFET。 

充電頭網(wǎng)曾多次在不同品牌的拆解中遇到Tranphorm的產(chǎn)品,由于篇幅有限,以下展示部分已經(jīng)應(yīng)用在不同領(lǐng)域上的產(chǎn)品型號。

華碩ROG 1600W鈦金牌雷神2代電源ROG-THOR-1600T-GAMING

ROG雷神1600W電源內(nèi)部共由10塊PCB組成,功能分別對應(yīng)輸入EMI濾波,整機交錯PFC及全橋LLC控制,同步整流,輸出濾波,DC-DC降壓以及燈光控制,風(fēng)扇轉(zhuǎn)速控制等功能,相比傳統(tǒng)電源具備更可靠的保護以及更高的靈活度,對應(yīng)的小板也可以用于生產(chǎn)不同功率的電源,滿足更多消費者的需求。

在這款高端電源中,我們拆解到了以上這款TP65H050WS產(chǎn)品,是一顆耐壓650V,峰值耐壓800V的氮化鎵開關(guān)管,導(dǎo)阻為50mΩ,采用TO247封裝。內(nèi)部采用雙芯片常閉型的氮化鎵開關(guān)管。

Transphorm氮化鎵芯片TP65H300G4LSG

飛宏65W 2C1A USB PD適配器通過氮化鎵技術(shù)賦能,利用更小的器件實現(xiàn)更強的性能。使適配器體積僅為(51 x 55.3 x 29 mm),十分小巧,配備兩個USB-C端口和一個USB-A端口(2C1A),可同時為三臺設(shè)備充電,提供高達65W的USB PD和PPS功能。這款充電器采用了單個650V SuperGaN器件TP65H300G4LSG,與采用準諧振反激模式(QRF)拓撲結(jié)構(gòu)的硅解決方案相比,功率損失可減少約17%,節(jié)能和性能均有不錯的提高。

在PD快充中,Transphorm就曾推出過這一款氮化鎵功率芯片TP65H300G4LSG,基于Transphorm的第4代GaN平臺打造,除了采用先進的epi和專利設(shè)計技術(shù),通過簡化制造工藝降低成本,同時通過降低柵極電荷、輸出電容、交叉損耗和反向恢復(fù)電荷提高硅的效率。應(yīng)用于充電器中的開關(guān)管,在氮化鎵技術(shù)加持下,相比傳統(tǒng)硅器件提升了能效、開關(guān)頻率、系統(tǒng)功率密度的同時減小產(chǎn)品體積、重量,有效降低產(chǎn)品的系統(tǒng)成本。適用于快充充電器、電源適配器及LED照明等應(yīng)用。

瑞薩電子近年并購盤點

瑞薩成立于2003年,由日立制作所半導(dǎo)體部門和三菱電機半導(dǎo)體部門合并成立,結(jié)合了日立與三菱在半導(dǎo)體領(lǐng)域方面的先進技術(shù)和豐富經(jīng)驗。于2010年,瑞薩科技和NEC電子合并經(jīng)營,全新的半導(dǎo)體專業(yè)制造商瑞薩電子誕生,立志于MCU、系統(tǒng)LSI、模擬及功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與生產(chǎn),為全球無線網(wǎng)絡(luò)、汽車、消費與工業(yè)市場提供核心的半導(dǎo)體產(chǎn)品。

2017年,瑞薩電子收購了美國模擬芯片公司Intersil,開始在電源管理領(lǐng)域進行更大的布局。

2019年瑞薩電子成功收購模擬芯片大廠IDT,本次收購不僅將為公司帶來市場領(lǐng)先的模擬混合信號產(chǎn)品擴展公司現(xiàn)有產(chǎn)品線,而且還將帶來優(yōu)秀的專業(yè)人才,提高瑞薩電子嵌入式解決方案的性能。同時還獲得在射頻(RF)、高性能定時、存儲接口、實時互聯(lián)、光互連、無線電源以及智能傳感器方面的技術(shù)和產(chǎn)品線,進一步增強了在瑞薩電子在汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心市場的領(lǐng)先地位。

2021年,瑞薩電子再創(chuàng)輝煌,完成對Dialog的收購,獲得了低功耗無線連接、電源管理、模擬混合信號等前沿技術(shù),實現(xiàn)向多個終端市場提供多樣化的產(chǎn)品組合,進一步拓寬了瑞薩電子在汽車電子等領(lǐng)域的布局。

2022年,瑞薩電子成功收購Steradian,Steradian是一家提供4D成像雷達解決方案的無晶圓半導(dǎo)體公司,本次收購瑞薩電子可以獲得更多汽車雷達系統(tǒng)簡化設(shè)計的解決方案,并有助于加快產(chǎn)品開發(fā)。同時,可以借此擴展其在雷達市場的影響力,并提升了汽車和工業(yè)傳感解決方案的實力。

2023年,瑞薩電子持續(xù)發(fā)力。在上半年就完成了對專注于高性能無線產(chǎn)品的無晶圓廠半導(dǎo)體公司Panthronics AG的收購。同時,瑞薩電子發(fā)布了13項“成功產(chǎn)品組合”解決方案設(shè)計,將瑞薩電子的產(chǎn)品與Panthronics的近場通信(NFC)技術(shù)完美結(jié)合,進一步增強了瑞薩電子產(chǎn)品陣容的廣度與深度,展示了瑞薩電子產(chǎn)品陣容的持續(xù)擴展,特別在連接領(lǐng)域。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

在當(dāng)今快速發(fā)展的科技行業(yè)中,瑞薩電子已成為一股不可忽視的力量。其獨特的創(chuàng)新能力和技術(shù)實力,使其在業(yè)界樹立了卓越的聲譽。此次并購Tranphorm的消息震驚了全球半導(dǎo)體行業(yè),標志著瑞薩電子在氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)⒃俅潍@得重大突破。本次收購成功后無疑將對全球半導(dǎo)體市場產(chǎn)生深遠影響。瑞薩電子憑借這一戰(zhàn)略舉措鞏固了其在行業(yè)中的領(lǐng)先地位,同時也為未來的增長奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨著新技術(shù)和新材料的不斷涌現(xiàn),我們期待看到瑞薩電子在未來的更多創(chuàng)新和突破。

信息來源:瑞薩電子官網(wǎng)、 Transphorm官網(wǎng)、充電頭網(wǎng)綜合報道

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