中國企業(yè)挑戰(zhàn)氮化鎵芯片領域獨角獸，自主研發(fā)打破國外壟斷
“我們建成了全球首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產生產線，并在非常短的時間內打破了國外知名半導體公司在氮化鎵功率芯片設計和生產制造領域對中國市場、甚至全球市場的壟斷。”英諾賽科（珠海）科技有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）創(chuàng)始人駱薇薇說，氮化鎵作為第三代半導體材料的代表，在新能源汽車、5G通訊、激光雷達等細分行業(yè)，有著廣泛的應用。“8英寸硅基氮化鎵功率芯片量產線”的通線投產，意味著制約我國第三代半導體產業(yè)的技術瓶頸得到了突破，勢必在龐大的半導體上下游產業(yè)中實現(xiàn)對進口技術和產品的替代。
英諾賽科創(chuàng)始人駱薇薇博士（左三）
 
駱薇薇畢業(yè)于新西蘭梅西大學，獲得應用數學博士學位。畢業(yè)后，她在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩家以新材料為核心業(yè)務的高科技公司。2015年底，作為駱薇薇創(chuàng)辦的第三家公司，英諾賽科選擇在珠海國家高新區(qū)落戶，這是一家典型的創(chuàng)新型高科技企業(yè)，目前公司有26項科技成果獲得國際專利，并有其他40多項成果正在申請國際專利。
“難，真難，太難了。”談起自己的創(chuàng)業(yè)之路，駱薇薇連用了三個“難”字。駱薇薇在國外工作生活了二十多年，此次下定決心回國創(chuàng)業(yè)，其難度可想而知。有人說回國創(chuàng)業(yè)是火坑，勸她不要往里跳。但駱薇薇并沒有理會，即使她的整個團隊里只有一名員工愿意追隨她回國創(chuàng)業(yè)，即使研發(fā)費用遲遲沒有著落，即使所有人都不看好她這次回國創(chuàng)業(yè)之旅，這些都無法動搖駱薇薇研發(fā)“中國芯”的決心。
 
如今，經過三年的發(fā)展，英諾賽科在政府多部門以及各方合作組織的大力支持下，已經成功匯聚中、美、德、韓四國精英人才，員工規(guī)模突破200人的世界頂尖氮化鎵功率芯片生產商。英諾賽科作為中國“芯”動力，將以融匯全球高端智力資源，研發(fā)頂尖半導體應用產品的決心，蓄勢待發(fā)，正式進軍國際市場。
 
英諾賽科榮獲國家級創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽一等獎
第三屆“中國創(chuàng)翼”創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新大賽頒獎儀式
 
在剛剛閉幕的第三屆“中國創(chuàng)翼”創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新大賽全國總決賽的比賽上，經過激烈的角逐，駱薇薇團隊以“高性能8英寸硅基氮化鎵外延、功率器件研發(fā)與產業(yè)化項目”獲得主體賽創(chuàng)業(yè)組一等獎。
這次活動全國共有31704個項目報名參賽，通過區(qū)縣、地市、省級選拔賽的層層選拔，共232個項目進入10月12日至14日的全國選拔賽和決賽，其中92個項目分獲一、二、三等獎和優(yōu)勝獎，并由人社部授予“全國優(yōu)秀創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新項目”稱號。
 
參賽者既有引領潮流的科技專家、技能人才，又包含朝氣蓬勃的大學生、留學生等。參賽項目覆蓋電子信息、互聯(lián)網、生物醫(yī)藥、先進制造、新能源及節(jié)能環(huán)保、新材料等各領域。
 
第三屆 “中國創(chuàng)翼”創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新大賽是由人力資源社會保障部聯(lián)合國家發(fā)展改革委、科技部、共青團中央、中國殘聯(lián)共同舉辦的一項全國性賽事，自今年3月啟動以來，在全國各地掀起了熱烈反響。
英諾賽科一等獎獲獎證書和獎杯
 
經過多輪比賽、選拔，通過項目介紹、專家問答、綜合評估，英諾賽科（項目名稱：高性能8英寸硅基氮化鎵外延、功率器件研發(fā)與產業(yè)化）從選拔賽到決賽一直保持著領先優(yōu)勢，最終以91.25的高分斬獲第三屆“中國創(chuàng)翼”創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新大賽全國總決賽第一名！
 
創(chuàng)新引領時代，用“芯”點亮未來
創(chuàng)新是引領發(fā)展的第一動力，駱薇薇就是一個以創(chuàng)新為先，每天都在圍繞創(chuàng)新做文章的人。之所以參加“中國創(chuàng)翼”，駱薇薇坦言是被大賽的口號所吸引的：“創(chuàng)新引領創(chuàng)業(yè)，創(chuàng)業(yè)帶動就業(yè)。”這話說得太對了，無創(chuàng)新不發(fā)展，無就業(yè)不興旺。
只有企業(yè)創(chuàng)新，才能發(fā)展經濟，只有拉動就業(yè)，社會才能興旺。創(chuàng)新，是英諾賽科的命脈，助力中國’芯’突破，正是英諾賽科奮斗的目標。
2018年6月，在江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新區(qū)，英諾賽科宣布其占地368畝、一期投資總額高達60億元的英諾賽科（蘇州）半導體有限公司項目正式落戶當地，生產基地建設也同期展開，預計將于2019年底正式通線投產。
一期項目建成后，預計8英寸功率與射頻芯片的年產能將達到6.5萬片，直接創(chuàng)造就業(yè)崗位2000余個。這無異又為“中國芯”注入了一針強“芯”劑！英諾賽科通過自主研發(fā)、自建晶圓廠，從設計到制造可為氮化鎵芯片產業(yè)鏈提供一站式解決方案，目前已經成為國內該領域獨角獸。而此次獲得國家創(chuàng)業(yè)大賽一等獎，更是主辦方、組委會及社會各方人士對這一自主創(chuàng)新項目的認可和肯定。