英諾賽科（珠海）科技有限公司是2015年12月由海歸團隊發起， 并集合了眾多國內外精英聯合創辦的寬禁帶半導體電力電子器件研發與生產的高科技企業。 英諾賽科一期項目坐落于珠海市國家級高新區， 占地1.7萬平米， 投資10.95億元，于2017年建成了全球首條8英寸增強型硅基氮化鎵功率器件量產線，產品經國內主流客戶認證，各項性能指標均達到國際先進水平。二期項目坐落于蘇州市吳江汾湖高新區， 占地16.3萬平米，于2018年6月開工建設，預計2020年投入生產。 硅基氮化鎵被稱為第三代半導體材料，是當今世界最先進的半導體材料之一，因其優良的物理化學特性，能實現器件的高頻、高效等特性，大幅度降低系統能耗，能廣泛應用于5G通信、新能源汽車、智能制造、人工智能、數據中心等新興領域；硅基氮化鎵具有的優異特性和廣泛的應用前景使其成為新一代半導體產業發展的焦點。 英諾賽科采用研發、設計、生產、制造、測試為一體的IDM模式，公司在可靠性和失效分析上進行戰略投入， 建立自有分析平臺，從而具有產品快速迭代的能力；英諾賽科主要生產30V-650V氮化鎵功率器件、功率模塊和射頻器件等，公司的IDM產業化模式及其首創的8英寸硅基氮化鎵功率與射頻器件量產線使公司產品具有高性能、低成本、高可靠性等市場優勢。 英諾賽科從成立至今的三年時間里， 憑借其團隊雄厚的研發實力和生產技術，在產品開發上取得非常亮眼的成績，快速成長為國內第三代半導體研發與生產的先鋒企業。 1、英諾賽科已發布產品 2、英諾賽科開發中的產品 3、英諾賽科針對快充的產品 4、英諾賽科針對車充和快充的產品 英諾賽科將在3月22日參加2019（春季） USB PD＆Type-C亞洲展，展位設在A31，需要了解最新GaN（氮化鎵）快充方案的觀眾可在展會當天前往A31展臺進一步交流。 關于展會 2019（春季） USB PD＆Type-C亞洲展是充電頭網發起的一項推廣快充產業的活動，目前已經連續舉辦第8屆。 這是2019年首場大規模USB PD＆Type-C行業展會，匯聚近百家產業鏈優質供應商、服務商，以及上千家采購商。 本次展會邀請了GaN氮化鎵領域技術專家介紹基于USB PD快充的小型化、輕薄化設計，并現場展示多款應用案例。 擁有最新USB PD快充應用案例現場展示，覆蓋充電器、充電寶、車充、充電線等上百款熱門爆款方案。 展會報名地址：點擊這里